Technische Details R6024KNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6024KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R6024KNZ4C13 nach Preis ab 5.89 EUR bis 13.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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R6024KNZ4C13 | ROHM Semiconductor |
 MOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6024KNZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247 Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole |
auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6024KNZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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R6024KNZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R6024KNZ4C13 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.77 EUR |
| 10+ | 7.75 EUR |
| 100+ | 6.97 EUR |
| 600+ | 6.68 EUR |
| 1200+ | 5.89 EUR |
| R6024KNZ4C13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 13.74 EUR |
| 30+ | 7.94 EUR |
| 120+ | 7.09 EUR |
| R6024KNZ4C13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| R6024KNZ4C13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)