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R6027YNZ4C13

R6027YNZ4C13 Rohm Semiconductor

r6027ynz4c13-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247G
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Technische Details R6027YNZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6027YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27 A, 0.135 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote R6027YNZ4C13 nach Preis ab 5.16 EUR bis 14.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6027YNZ4C13 R6027YNZ4C13 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6027YNZ4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Nch 600V 27A, TO-247G, Power MOSFET: R6027YNZ4 is a power MOSFET with Low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 1194 Stücke:
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1+11.85 EUR
10+9.95 EUR
25+9.4 EUR
100+8.07 EUR
250+7.63 EUR
600+6.47 EUR
1200+5.89 EUR
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R6027YNZ4C13 R6027YNZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6027YNZ4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 600V 27A, TO-247G, POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
auf Bestellung 585 Stücke:
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2+12.54 EUR
30+7.21 EUR
120+6.03 EUR
510+5.16 EUR
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R6027YNZ4C13 R6027YNZ4C13 Rohm Semiconductor r6027ynz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247G
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14+12.67 EUR
16+11.23 EUR
50+10.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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R6027YNZ4C13 R6027YNZ4C13 ROHM r6027ynz4c13-e.pdf Description: ROHM - R6027YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27 A, 0.135 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.11 EUR
34+7.01 EUR
100+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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R6027YNZ4C13 datasheet?p=R6027YNZ4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
R6027YNZ4C13
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 600V 27A, TO-247G, Power MOSFET: R6027YNZ4 is a power MOSFET with Low on - resistance, suitable for switching.
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 27A, TO-247G, POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
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R6027YNZ4C13
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Description: ROHM - R6027YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27 A, 0.135 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
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