R6030ENXC7G

R6030ENXC7G Rohm Semiconductor


r6030enx-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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Technische Details R6030ENXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6030ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 86W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote R6030ENXC7G nach Preis ab 2.32 EUR bis 6.78 EUR

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R6030ENXC7G R6030ENXC7G Hersteller : Rohm Semiconductor r6030enx-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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R6030ENXC7G R6030ENXC7G Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6030ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
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R6030ENXC7G R6030ENXC7G Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6030ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET
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R6030ENXC7G R6030ENXC7G Hersteller : ROHM r6030enx-e.pdf Description: ROHM - R6030ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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