R6030JNZ4C13 Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details R6030JNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 93W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 93W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote R6030JNZ4C13 nach Preis ab 7.08 EUR bis 19.25 EUR
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Preis | ||||||||||||
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R6030JNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6030JNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6030JNZ4C13 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs R6030JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. |
auf Bestellung 496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6030JNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA Supplier Device Package: TO-247G Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V |
auf Bestellung 391 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6030JNZ4C13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 93W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 93W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6030JNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6030JNZ4C13 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A On-state resistance: 143mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 370W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 74nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 90A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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R6030JNZ4C13 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A On-state resistance: 143mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 370W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 74nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 90A |
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