Technische Details R6030JNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 93W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 93W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote R6030JNZ4C13 nach Preis ab 6.44 EUR bis 21.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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R6030JNZ4C13 | ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247 Mounting: THT Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 370W Gate charge: 74nC Polarisation: unipolar Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: TO247 On-state resistance: 143mΩ |
auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6030JNZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6030JNZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6030JNZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247G Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247G Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole |
auf Bestellung 383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6030JNZ4C13 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover |
auf Bestellung 449 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6030JNZ4C13 | ROHM |
Description: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 93W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 93W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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R6030JNZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R6030JNZ4C13 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247
Mounting: THT
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 370W
Gate charge: 74nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 143mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247
Mounting: THT
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 370W
Gate charge: 74nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 143mΩ
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 11.16 EUR |
| 9+ | 9.78 EUR |
| 10+ | 9.1 EUR |
| 30+ | 8.34 EUR |
| 60+ | 7.76 EUR |
| 120+ | 7.16 EUR |
| 150+ | 7.01 EUR |
| 300+ | 6.64 EUR |
| 510+ | 6.44 EUR |
| R6030JNZ4C13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 12.63 EUR |
| 30+ | 11.5 EUR |
| 60+ | 10.13 EUR |
| 120+ | 9.38 EUR |
| 270+ | 9.02 EUR |
| R6030JNZ4C13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 12.63 EUR |
| 30+ | 11.5 EUR |
| 60+ | 10.13 EUR |
| R6030JNZ4C13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 19.81 EUR |
| 30+ | 11.82 EUR |
| 120+ | 10.06 EUR |
| R6030JNZ4C13 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.11 EUR |
| 10+ | 12.57 EUR |
| 100+ | 10.69 EUR |
| R6030JNZ4C13 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 93W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 93W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| R6030JNZ4C13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)