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R6030KNZ4C13

R6030KNZ4C13 Rohm Semiconductor

r6030knz4c13-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details R6030KNZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6030KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 305W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6030KNZ4C13 R6030KNZ4C13 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6030KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO247 600V 30A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1680 Stücke:
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1+14.68 EUR
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100+6.87 EUR
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R6030KNZ4C13 R6030KNZ4C13 Rohm Semiconductor r6030knz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 848 Stücke:
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20+8.72 EUR
50+8.51 EUR
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R6030KNZ4C13 R6030KNZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6030KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
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2+17.5 EUR
30+10.23 EUR
120+8.64 EUR
510+7.71 EUR
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R6030KNZ4C13 R6030KNZ4C13 ROHM datasheet?p=R6030KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6030KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6030KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
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