R6030KNZ4C13 Rohm Semiconductor
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Technische Details R6030KNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6030KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 305W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote R6030KNZ4C13 nach Preis ab 6.86 EUR bis 15.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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R6030KNZ4C13 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 MOSFET 600V 30AHIGH-SWITCH MOSFET |
auf Bestellung 1780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6030KNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6030KNZ4C13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6030KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6030KNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6030KNZ4C13 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 305W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247 Power dissipation: 305W Polarisation: unipolar Drain current: 30A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 240mΩ Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Gate charge: 56nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| R6030KNZ4C13 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 305W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247 Power dissipation: 305W Polarisation: unipolar Drain current: 30A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 240mΩ Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Gate charge: 56nC |
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