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R6035ENZ4C13

R6035ENZ4C13 ROHM

r6035enz4-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6035ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.102 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10 EUR
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30+7.26 EUR
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100+7.15 EUR
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Technische Details R6035ENZ4C13 ROHM

Description: ROHM - R6035ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.102 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 379W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxENx, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6035ENZ4C13 R6035ENZ4C13 Rohm Semiconductor r6035enz4-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 597 Stücke:
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15+11.64 EUR
25+10.97 EUR
50+10.33 EUR
100+9.76 EUR
250+9.32 EUR
500+8.92 EUR
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R6035ENZ4C13 R6035ENZ4C13 Rohm Semiconductor r6035enz4-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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R6035ENZ4C13 R6035ENZ4C13 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6035ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
auf Bestellung 403 Stücke:
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1+14.39 EUR
10+9.03 EUR
100+7.72 EUR
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R6035ENZ4C13 R6035ENZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6035ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.37 EUR
30+8.97 EUR
120+7.57 EUR
510+6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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R6035ENZ4C13
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Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
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