Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > R6035VNX3C16
R6035VNX3C16

R6035VNX3C16 ROHM Semiconductor

datasheet?p=R6035VNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET 600V 35A INTEGRATED HIGH-SPEE
auf Bestellung 2030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.11 EUR
10+10.05 EUR
100+8.31 EUR
500+7.23 EUR
1000+6.3 EUR
2000+6.05 EUR
5000+5.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details R6035VNX3C16 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - R6035VNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.114 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 347W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote R6035VNX3C16

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
R6035VNX3C16 R6035VNX3C16 Hersteller : ROHM datasheet?p=R6035VNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6035VNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.114 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6035VNX3C16 R6035VNX3C16 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6035VNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 35A TO-220AB, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 8A, 15V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH