R6046FNZ1C9 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.73 EUR |
| 10+ | 19.48 EUR |
| 100+ | 16.23 EUR |
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Technische Details R6046FNZ1C9 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 46A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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R6046FNZ1C9 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R6046FNZ1C9 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)