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R6055VNZ4C13

R6055VNZ4C13 Rohm Semiconductor


r6055vnz4c13-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Technische Details R6055VNZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6055VNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 55 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 543W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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R6055VNZ4C13 R6055VNZ4C13 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6055VNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 55A TO-247, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 100 V
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R6055VNZ4C13 R6055VNZ4C13 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6055VNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO247 650V 165A N-CH MOSFET
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100+14.33 EUR
250+13.5 EUR
600+11.7 EUR
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R6055VNZ4C13 R6055VNZ4C13 Hersteller : ROHM datasheet?p=R6055VNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6055VNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 55 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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