R6055VNZC17

R6055VNZC17 Rohm Semiconductor


datasheet?p=R6055VNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 600V 23A TO-3PF, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 100 V
auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.79 EUR
10+8.3 EUR
30+7.57 EUR
120+6.93 EUR
270+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details R6055VNZC17 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6055VNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.059 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 99W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote R6055VNZC17 nach Preis ab 7.43 EUR bis 13.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
R6055VNZC17 R6055VNZC17 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6055VNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO3P 650V 165A N-CH MOSFET
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.12 EUR
10+9.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6055VNZC17 R6055VNZC17 Hersteller : ROHM datasheet?p=R6055VNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6055VNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.059 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 99W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6055VNZC17 Hersteller : Rohm Semiconductor r6055vnzc17-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+9.36 EUR
25+8.64 EUR
50+8 EUR
100+7.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6055VNZC17 Hersteller : Rohm Semiconductor r6055vnzc17-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+13.55 EUR
15+9.52 EUR
50+8.13 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH