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R6061YNXC7G

R6061YNXC7G Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6061YNX&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 26A, TO-220FM, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 100 V
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Technische Details R6061YNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6061YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.06 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6061YNXC7G R6061YNXC7G ROHM Semiconductor datasheet?p=R6061YNX&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFET Nch 600V 26A, TO-220FM, Power MOSFET: R6061YNX is a power MOSFET with Low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 1000 Stücke:
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R6061YNXC7G R6061YNXC7G ROHM datasheet?p=R6061YNX&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - R6061YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.06 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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50+10.22 EUR
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R6061YNXC7G
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6061YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.06 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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