R6070JNZ4C13 Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 15+ | 10.35 EUR |
| 16+ | 9.35 EUR |
| 50+ | 8.87 EUR |
| 100+ | 8.26 EUR |
| 200+ | 7.78 EUR |
| 500+ | 7.40 EUR |
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Technische Details R6070JNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6070JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.045 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 770W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R6070JNZ4C13 nach Preis ab 6.78 EUR bis 16.70 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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R6070JNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6070JNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 35A, 15V Power Dissipation (Max): 770W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247G Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 100 V |
auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6070JNZ4C13 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 600V 70A TO-247, PrestoMOS with integrated high-speed diode |
auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6070JNZ4C13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6070JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.045 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 770W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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