R6076KNZ4C13 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Nch 600V 76A Power MOSFET. R6076KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 36.24 EUR |
| 10+ | 33.42 EUR |
| 30+ | 31.93 EUR |
| 120+ | 28.53 EUR |
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Technische Details R6076KNZ4C13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6076KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.042 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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R6076KNZ4C13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6076KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.042 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6076KNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 735W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
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