R6076KNZ4C13 Rohm Semiconductor
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 11.72 EUR |
| 14+ | 10.89 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details R6076KNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6076KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R6076KNZ4C13 nach Preis ab 17.57 EUR bis 36.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6076KNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
R6076KNZ4C13 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 600V 76A Power MOSFET. R6076KNZ4 is a power MOSFET for switching applications. |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
R6076KNZ4C13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6076KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
| R6076KNZ4C13 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
R6076KNZ4C13 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
 |
R6076KNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V Power Dissipation (Max): 735W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |