R6086YNZC17 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 33A, TO-3PF, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 30.1 EUR |
| 100+ | 28.65 EUR |
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Technische Details R6086YNZC17 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6086YNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.036 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote R6086YNZC17 nach Preis ab 15.39 EUR bis 45.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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R6086YNZC17 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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R6086YNZC17 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6086YNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.036 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6086YNZC17 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6086YNZC17 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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