R6502END3TL1 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 94+ | 1.9 EUR |
| 111+ | 1.59 EUR |
| 121+ | 1.43 EUR |
| 200+ | 1.32 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
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Technische Details R6502END3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6502END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 1.7 A, 4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 26W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm.
Weitere Produktangebote R6502END3TL1 nach Preis ab 0.84 EUR bis 4.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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R6502END3TL1 | ROHM Semiconductor |
 MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET |
auf Bestellung 3387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6502END3TL1 | Rohm Semiconductor |
Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6502END3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6502END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 1.7 A, 4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 26W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm |
auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6502END3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6502END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 1.7 A, 4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 26W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm |
auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6502END3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R6502END3TL1 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
auf Bestellung 3387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.22 EUR |
| 10+ | 1.52 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| 2500+ | 0.9 EUR |
| 5000+ | 0.84 EUR |
| R6502END3TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
auf Bestellung 2476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.33 EUR |
| 10+ | 2.11 EUR |
| 50+ | 1.58 EUR |
| 100+ | 1.4 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| R6502END3TL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6502END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 1.7 A, 4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
Description: ROHM - R6502END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 1.7 A, 4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 63+ | 4.02 EUR |
| 129+ | 1.8 EUR |
| 181+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| R6502END3TL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6502END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 1.7 A, 4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
Description: ROHM - R6502END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 1.7 A, 4 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.02 EUR |
| 129+ | 1.8 EUR |
| 181+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| R6502END3TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)