R6504END3TL1 ROHM Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.58 EUR |
| 10+ | 2.06 EUR |
| 100+ | 1.63 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.25 EUR |
| 2500+ | 1.21 EUR |
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Technische Details R6504END3TL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 58W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R6504END3TL1 nach Preis ab 1.34 EUR bis 3.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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R6504END3TL1 | Rohm Semiconductor |
 Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWERInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1246 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6504END3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6504END3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 58W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 96 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R6504END3TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.75 EUR |
| 10+ | 2.33 EUR |
| 100+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.46 EUR |
| 1000+ | 1.34 EUR |
| R6504END3TL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 3.84 EUR |
| R6504END3TL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)