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Technische Details R6509KNXC7G ROHM Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP, Mounting: THT, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 9A, On-state resistance: 1.1Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 48W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 16.5nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 27A, Case: TO220FP, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote R6509KNXC7G nach Preis ab 2.75 EUR bis 5.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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| R6509KNXC7G | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI |
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| R6509KNXC7G | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A On-state resistance: 1.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 16.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 27A Case: TO220FP Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| R6509KNXC7G | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A On-state resistance: 1.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 16.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 27A Case: TO220FP |
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