R6509KNXC7G

R6509KNXC7G ROHM Semiconductor


r6509knx-e.pdf Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET
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Technische Details R6509KNXC7G ROHM Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP, Case: TO220FP, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 9A, On-state resistance: 1.1Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 48W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 16.5nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 27A, Mounting: THT, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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R6509KNXC7G Hersteller : Rohm Semiconductor r6509knx-e.pdf Description: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
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R6509KNXC7G Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR r6509knx-e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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R6509KNXC7G Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR r6509knx-e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 16.5nC
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