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R6515KNX3C16

R6515KNX3C16 Rohm Semiconductor

r6515knx3c16-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details R6515KNX3C16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 161W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6515KNX3C16 R6515KNX3C16 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6515KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 399 Stücke:
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R6515KNX3C16 R6515KNX3C16 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6515KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.72 EUR
10+4.46 EUR
100+4.06 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.28 EUR
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R6515KNX3C16 R6515KNX3C16 ROHM datasheet?p=R6515KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 161W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm
auf Bestellung 13 Stücke:
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R6515KNX3C16 R6515KNX3C16 Rohm Semiconductor r6515knx3c16-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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R6515KNX3C16 datasheet?p=R6515KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6515KNX3C16
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
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MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch
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100+4.06 EUR
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R6515KNX3C16
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 161W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm
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