R6520ENZ4C13 Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 21+ | 7.31 EUR |
| 25+ | 6.75 EUR |
| 50+ | 6.25 EUR |
| 100+ | 5.81 EUR |
| 250+ | 5.41 EUR |
| 500+ | 5.04 EUR |
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Technische Details R6520ENZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6520ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 231W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxENx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R6520ENZ4C13 nach Preis ab 4.22 EUR bis 8.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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R6520ENZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6520ENZ4C13 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 650V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET |
auf Bestellung 452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6520ENZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA Supplier Device Package: TO-247G Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6520ENZ4C13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6520ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxENx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |