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R6520KNX3C16

R6520KNX3C16 Rohm Semiconductor

r6520knx3c16-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details R6520KNX3C16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.205 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 220W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6520KNX3C16 R6520KNX3C16 Rohm Semiconductor r6520knx3c16-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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R6520KNX3C16 R6520KNX3C16 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6520KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch
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R6520KNX3C16 R6520KNX3C16 ROHM datasheet?p=R6520KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.205 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 220W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
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R6520KNX3C16 R6520KNX3C16 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6520KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.205 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 220W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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R6520KNX3C16
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Description: 650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
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50+5.55 EUR
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