R6520KNX3C16 Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details R6520KNX3C16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 220W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R6520KNX3C16 nach Preis ab 3.56 EUR bis 7.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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R6520KNX3C16 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 MOSFETs 650V 20A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET |
auf Bestellung 866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6520KNX3C16 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6520KNX3C16 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V |
auf Bestellung 949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6520KNX3C16 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6520KNX3C16 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 220W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 220W Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| R6520KNX3C16 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 220W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 220W Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A |
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