Technische Details R6520KNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA, Power Dissipation (Max): 231W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote R6520KNZ4C13 nach Preis ab 9.64 EUR bis 17.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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R6520KNZ4C13 | ROHM |
 Description: ROHM - R6520KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 20 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 231 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6520KNZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6520KNZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6520KNZ4C13 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6520KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ROHM - R6520KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 15.07 EUR |
| 20+ | 12.07 EUR |
| 100+ | 9.64 EUR |
| R6520KNZ4C13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 16.15 EUR |
| 30+ | 12.89 EUR |
| 120+ | 11.53 EUR |
| R6520KNZ4C13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 17.74 EUR |
| 12+ | 14.8 EUR |