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R6535ENZ4C13

R6535ENZ4C13 Rohm Semiconductor

r6535enz4c13-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
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Technische Details R6535ENZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 379W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxENx, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6535ENZ4C13 R6535ENZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6535ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.23 EUR
30+4.58 EUR
120+3.77 EUR
510+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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R6535ENZ4C13 R6535ENZ4C13 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6535ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise
auf Bestellung 526 Stücke:
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10+7.75 EUR
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R6535ENZ4C13 R6535ENZ4C13 Rohm Semiconductor r6535enz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 597 Stücke:
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12+15.42 EUR
50+13.84 EUR
100+12.67 EUR
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R6535ENZ4C13 R6535ENZ4C13 ROHM datasheet?p=R6535ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 379W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
auf Bestellung 445 Stücke:
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10+27.22 EUR
14+17.8 EUR
15+14.46 EUR
50+12.05 EUR
100+11.2 EUR
250+10.33 EUR
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R6535ENZ4C13
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
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R6535ENZ4C13
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MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise
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auf Bestellung 597 Stücke:
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50+13.84 EUR
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R6535ENZ4C13
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 379W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
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