Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > R6535KNX3C16
R6535KNX3C16

R6535KNX3C16 ROHM Semiconductor


datasheet?p=R6535KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 650V 35A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
auf Bestellung 911 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.70 EUR
50+6.65 EUR
100+6.18 EUR
500+5.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details R6535KNX3C16 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - R6535KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote R6535KNX3C16 nach Preis ab 5.78 EUR bis 13.50 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
R6535KNX3C16 R6535KNX3C16 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6535KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+13.50 EUR
50+7.33 EUR
100+6.73 EUR
500+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6535KNX3C16 R6535KNX3C16 Hersteller : ROHM r6535knx3c16-e.pdf Description: ROHM - R6535KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH