R6547KNZ4C13 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Nch 650V 47A Power MOSFET. R6547KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.
MOSFET Nch 650V 47A Power MOSFET. R6547KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.
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| 510+ | 15.31 EUR |
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Technische Details R6547KNZ4C13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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R6547KNZ4C13 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.07 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 480W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
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| R6547KNZ4C13 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; Idm: 141A; 480W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 480W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| R6547KNZ4C13 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; Idm: 141A; 480W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 480W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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