R8002ANJFRGTL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.54 EUR |
| 10+ | 3.60 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.04 EUR |
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Technische Details R8002ANJFRGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 62W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: TO-263S, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R8002ANJFRGTL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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R8002ANJFRGTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R8002ANJFRGTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 62W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-263S Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R8002ANJFRGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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R8002ANJFRGTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 800V Vdss 2A ID TO-263(D2PAK); LPTS |
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