Technische Details R8002ANX Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 2, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 36, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 36, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote R8002ANX nach Preis ab 2.06 EUR bis 2.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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R8002ANX | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R8002ANX |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R8002ANX |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 75+ | 2.32 EUR |
| 100+ | 2.19 EUR |
| 250+ | 2.06 EUR |