R8002ANX Rohm Semiconductor
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Technische Details R8002ANX Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 2, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 36, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 36, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote R8002ANX nach Preis ab 1.95 EUR bis 4.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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R8002ANX | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R8002ANX | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM |
auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R8002ANX |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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R8002ANX | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 2 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 36 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 36 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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R8002ANX | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |