R8002ANX

R8002ANX Rohm Semiconductor


r8002anx-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
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Technische Details R8002ANX Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 2, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 36, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 36, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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R8002ANX R8002ANX Hersteller : Rohm Semiconductor r8002anx-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
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R8002ANX R8002ANX Hersteller : ROHM ROHM-S-A0007229656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 36
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 36
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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R8002ANX R8002ANX Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002ANX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
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R8002ANX R8002ANX Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=R8002ANX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
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