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R8002CND3FRATL

R8002CND3FRATL Rohm Semiconductor

datasheet?p=R8002CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details R8002CND3FRATL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, Verlustleistung: 69W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R8002CND3FRATL R8002CND3FRATL Rohm Semiconductor r8002cnd3fratl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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R8002CND3FRATL R8002CND3FRATL Rohm Semiconductor r8002cnd3fratl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.09 EUR
67+2.56 EUR
100+2.37 EUR
200+1.98 EUR
1000+1.83 EUR
2000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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R8002CND3FRATL R8002CND3FRATL ROHM r8002cnd3fratl-e.pdf Description: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.56 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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R8002CND3FRATL R8002CND3FRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=R8002CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO252 800V 2A N-CH
auf Bestellung 2807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.75 EUR
10+4.49 EUR
100+3.27 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.7 EUR
2500+2.64 EUR
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R8002CND3FRATL R8002CND3FRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002CND3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.66 EUR
10+5.02 EUR
100+3.52 EUR
500+2.88 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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R8002CND3FRATL R8002CND3FRATL ROHM r8002cnd3fratl-e.pdf Description: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.75 EUR
42+5.57 EUR
100+3.56 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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R8002CND3FRATL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
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MOSFETs TO252 800V 2A N-CH
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R8002CND3FRATL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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R8002CND3FRATL
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Description: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
auf Bestellung 1380 Stücke:
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42+5.57 EUR
100+3.56 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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