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Technische Details R8002KND3TL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 30, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: R8xxxKNx, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote R8002KND3TL1 nach Preis ab 1.59 EUR bis 2.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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R8002KND3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Supplier Device Package: TO-252GE Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V |
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R8002KND3TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 30 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: R8xxxKNx productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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R8002KND3TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 30 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: R8xxxKNx productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R8002KND3TL1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
R8002KND3TL1 SMD N channel transistors |
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R8002KND3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Supplier Device Package: TO-252GE Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V |
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