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R8002KNXC7G

R8002KNXC7G Rohm Semiconductor

r8002knxgzc7-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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Technische Details R8002KNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R8002KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R8002KNXC7G R8002KNXC7G ROHM Semiconductor datasheet?p=R8002KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO220 800V 1.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+2.64 EUR
100+2.39 EUR
500+1.92 EUR
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R8002KNXC7G R8002KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
50+2.74 EUR
100+2.46 EUR
500+1.99 EUR
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R8002KNXC7G R8002KNXC7G ROHM r8002knxgzc7-e.pdf Description: ROHM - R8002KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 32 Stücke:
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R8002KNXC7G R8002KNXC7G Rohm Semiconductor r8002knxgzc7-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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MOSFETs TO220 800V 1.6A N-CH MOSFET
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Description: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
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R8002KNXC7G
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R8002KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
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Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Trans MOSFET N-CH 800V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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