R8003KNXC7G Rohm Semiconductor
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 47+ | 3.16 EUR |
| 73+ | 1.94 EUR |
| 100+ | 1.57 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details R8003KNXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R8003KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R8003KNXC7G nach Preis ab 1.75 EUR bis 3.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R8003KNXC7G | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 MOSFETs TO220 800V 3A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
R8003KNXC7G | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V |
auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
R8003KNXC7G | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R8003KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
R8003KNXC7G | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
| R8003KNXC7G | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 9A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 11.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
| R8003KNXC7G | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 9A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 11.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |