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R8005ANJFRGTL

R8005ANJFRGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=R8005ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Technische Details R8005ANJFRGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 2.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 120W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 120W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263S, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R8005ANJFRGTL R8005ANJFRGTL ROHM datasheet?p=R8005ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 2.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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R8005ANJFRGTL R8005ANJFRGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R8005ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+3.61 EUR
100+2.88 EUR
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R8005ANJFRGTL R8005ANJFRGTL ROHM datasheet?p=R8005ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 2.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.77 EUR
47+4.94 EUR
100+3.15 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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R8005ANJFRGTL R8005ANJFRGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=R8005ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 800V Vdss 5A ID TO-263(D2PAK); LPTS
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.81 EUR
10+5.19 EUR
100+3.77 EUR
500+3.2 EUR
1000+3.06 EUR
2000+3.01 EUR
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R8005ANJFRGTL datasheet?p=R8005ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8005ANJFRGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 2.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.15 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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R8005ANJFRGTL datasheet?p=R8005ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8005ANJFRGTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.27 EUR
10+3.61 EUR
100+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJFRGTL datasheet?p=R8005ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8005ANJFRGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 2.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.77 EUR
47+4.94 EUR
100+3.15 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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R8005ANJFRGTL datasheet?p=R8005ANJFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8005ANJFRGTL
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 800V Vdss 5A ID TO-263(D2PAK); LPTS
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.81 EUR
10+5.19 EUR
100+3.77 EUR
500+3.2 EUR
1000+3.06 EUR
2000+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH