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R8006KNXC7G

R8006KNXC7G Rohm Semiconductor

r8006knxc7g-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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Technische Details R8006KNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R8006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R8xxxKNx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R8006KNXC7G R8006KNXC7G Rohm Semiconductor r8006knxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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R8006KNXC7G R8006KNXC7G Rohm Semiconductor r8006knxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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R8006KNXC7G R8006KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
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R8006KNXC7G R8006KNXC7G ROHM datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R8006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35 Stücke:
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32+8.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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R8006KNXC7G R8006KNXC7G ROHM Semiconductor datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET
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1+8.32 EUR
10+5.49 EUR
100+3.88 EUR
500+3.31 EUR
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R8006KNXC7G r8006knxc7g-e.pdf
R8006KNXC7G
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
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R8006KNXC7G
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R8006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET
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