R8006KNXC7G Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 51+ | 2.91 EUR |
| 61+ | 2.35 EUR |
| 100+ | 2.14 EUR |
| 500+ | 1.85 EUR |
| 1000+ | 1.69 EUR |
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Technische Details R8006KNXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R8006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.75 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R8xxxKNx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R8006KNXC7G nach Preis ab 2.66 EUR bis 6.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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R8006KNXC7G | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
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R8006KNXC7G | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R8006KNXC7G | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET High-speed Switching Nch 800V 6A Power MOSFET |
auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R8006KNXC7G | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V |
auf Bestellung 656 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R8006KNXC7G | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R8006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.75 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R8xxxKNx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R8006KNXC7G | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V |
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