R8008ANJFRGTL ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.03 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.78 EUR |
| 500+ | 5.7 EUR |
| 1000+ | 4.65 EUR |
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Technische Details R8008ANJFRGTL ROHM
Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.03 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 195W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195W, Bauform - Transistor: TO-263S, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R8008ANJFRGTL nach Preis ab 4.25 EUR bis 13.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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R8008ANJFRGTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R8008ANJFRGTL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS |
auf Bestellung 1608 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R8008ANJFRGTL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1026 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R8008ANJFRGTL | ROHM |
Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.03 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 195W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R8008ANJFRGTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 9.77 EUR |
| 50+ | 6.45 EUR |
| 100+ | 5.09 EUR |
| R8008ANJFRGTL |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS
MOSFETs Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS
auf Bestellung 1608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.25 EUR |
| 10+ | 6.34 EUR |
| 100+ | 5.09 EUR |
| 500+ | 5.01 EUR |
| 1000+ | 4.25 EUR |
| R8008ANJFRGTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.52 EUR |
| 10+ | 7.7 EUR |
| 100+ | 5.53 EUR |
| 500+ | 5.08 EUR |
| R8008ANJFRGTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.03 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.03 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 13.07 EUR |
| 29+ | 8.26 EUR |
| 100+ | 5.78 EUR |
| 500+ | 5.7 EUR |
| 1000+ | 4.65 EUR |