RA1C030LDT5CL ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorMOSFETs RA1C030LD is a WLCSP MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for Switching circuits, Single-Cell Battery Applications, Mobile Applications.
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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 1.07 EUR |
| 10+ | 0.74 EUR |
| 100+ | 0.49 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.30 EUR |
| 2500+ | 0.27 EUR |
| 10000+ | 0.26 EUR |
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Technische Details RA1C030LDT5CL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.08 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DSN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RA1C030LDT5CL nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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RA1C030LDT5CL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006: Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: DSN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): +7V, -0.2V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V |
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RA1C030LDT5CL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.08 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DSN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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RA1C030LDT5CL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.08 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DSN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RA1C030LDT5CL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006: Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: DSN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): +7V, -0.2V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V |
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