RA1C030LDT5CL ROHM Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.2 EUR |
| 10+ | 0.75 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 5000+ | 0.26 EUR |
| 10000+ | 0.23 EUR |
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Technische Details RA1C030LDT5CL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DSN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RA1C030LDT5CL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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RA1C030LDT5CL | ROHM |
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DSN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RA1C030LDT5CL | ROHM |
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DSN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 85 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RA1C030LDT5CL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| RA1C030LDT5CL |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)


