Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RA1C030LDT5CL
RA1C030LDT5CL

RA1C030LDT5CL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RA1C030LD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +7V, -0.2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+1.24 EUR
28+0.76 EUR
50+0.56 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 17 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RA1C030LDT5CL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DSN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RA1C030LDT5CL nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.29 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RA1C030LDT5CL RA1C030LDT5CL ROHM Semiconductor datasheet?p=RA1C030LD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)
auf Bestellung 11636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.58 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.31 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RA1C030LDT5CL RA1C030LDT5CL ROHM datasheet?p=RA1C030LD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DSN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RA1C030LDT5CL RA1C030LDT5CL ROHM datasheet?p=RA1C030LD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DSN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RA1C030LDT5CL ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RA1C030LD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 20V; 3A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 1W
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 14490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 484 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RA1C030LDT5CL datasheet?p=RA1C030LD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RA1C030LDT5CL
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)
auf Bestellung 11636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.29 EUR
10+0.58 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.31 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RA1C030LDT5CL datasheet?p=RA1C030LD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RA1C030LDT5CL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DSN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RA1C030LDT5CL datasheet?p=RA1C030LD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RA1C030LDT5CL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RA1C030LDT5CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.14 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DSN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RA1C030LDT5CL datasheet?p=RA1C030LD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 20V; 3A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 1W
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 14490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 484 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH