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RAF040P01TCL

RAF040P01TCL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RAF040P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 6 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details RAF040P01TCL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RAF040P01TCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.03 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 800mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

Weitere Produktangebote RAF040P01TCL nach Preis ab 0.32 EUR bis 2.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RAF040P01TCL RAF040P01TCL ROHM Semiconductor datasheet?p=RAF040P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs MOSFET P-CH 1.5V 4A
auf Bestellung 5382 Stücke:
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10+0.92 EUR
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RAF040P01TCL RAF040P01TCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RAF040P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 6 V
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23+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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RAF040P01TCL RAF040P01TCL ROHM raf040p01tcl-e.pdf Description: ROHM - RAF040P01TCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.03 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.09 EUR
215+1.08 EUR
331+0.65 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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RAF040P01TCL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 6 V
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RAF040P01TCL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RAF040P01TCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.03 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
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Description: ROHM - RAF040P01TCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.03 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 502 Stücke:
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