| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.98 EUR |
| 10+ | 0.84 EUR |
| 100+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| 3000+ | 0.32 EUR |
| 9000+ | 0.3 EUR |
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Technische Details RAL035P01TCR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RAL035P01TCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.042 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: -, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.
Weitere Produktangebote RAL035P01TCR nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RAL035P01TCR | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V |
auf Bestellung 1590 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RAL035P01TCR | ROHM |
Description: ROHM - RAL035P01TCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.042 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: - Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm |
auf Bestellung 533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RAL035P01TCR | ROHM |
Description: ROHM - RAL035P01TCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.042 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: - Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm |
auf Bestellung 533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RAL035P01TCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 1.11 EUR |
| 23+ | 0.95 EUR |
| 100+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| RAL035P01TCR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RAL035P01TCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.042 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
Description: ROHM - RAL035P01TCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.042 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 163+ | 1.54 EUR |
| 262+ | 0.89 EUR |
| 405+ | 0.52 EUR |
| 530+ | 0.4 EUR |
| RAL035P01TCR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RAL035P01TCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.042 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
Description: ROHM - RAL035P01TCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.042 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 163+ | 1.54 EUR |
| 262+ | 0.89 EUR |
| 405+ | 0.52 EUR |
| 530+ | 0.4 EUR |