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RBA300N10EANS-3UA02#GB0

RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Renesas Electronics


REN_r07ds1573ej0100-rba300n10eans-3ua02_DST_20241108.pdf Hersteller: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL
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Technische Details RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Renesas Electronics

Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Hersteller : Renesas Electronics Corporation power-products-brochure Description: 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H
Packaging: Cut Tape (CT)
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RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Hersteller : RENESAS power-products-brochure Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Hersteller : RENESAS power-products-brochure Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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hazardous: false
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Hersteller : Renesas Electronics Corporation power-products-brochure Description: 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H
Packaging: Tape & Reel (TR)
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