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RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Renesas Electronics Corporation


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Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Technische Details RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RBA300N10EANS-3UA02#GB0 Renesas Electronics Corporation power-products-brochure Description: 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.42 EUR
10+6.27 EUR
100+4.47 EUR
500+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.03 EUR
10+6.68 EUR
100+4.77 EUR
500+4.27 EUR
1000+4.11 EUR
2000+4 EUR
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RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RENESAS RNCC-S-A0024771003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
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Dauer-Drainstrom Id: 300A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Description: 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H
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RBA300N10EANS-3UA02#GB0 RNCC-S-A0024771003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RBA300N10EANS-3UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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