RBE111N10R1SZN2#HB0 Renesas Electronics
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.8 EUR |
| 10+ | 1.76 EUR |
| 100+ | 1.16 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
| 3000+ | 0.71 EUR |
| 6000+ | 0.7 EUR |
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Technische Details RBE111N10R1SZN2#HB0 Renesas Electronics
Description: RENESAS - RBE111N10R1SZN2#HB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0111 ohm, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: REXFET-1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RBE111N10R1SZN2#HB0
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RBE111N10R1SZN2#HB0 | RENESAS |
Description: RENESAS - RBE111N10R1SZN2#HB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0111 ohm, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: REXFET-1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RBE111N10R1SZN2#HB0 |
Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RBE111N10R1SZN2#HB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0111 ohm, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: REXFET-1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: RENESAS - RBE111N10R1SZN2#HB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0111 ohm, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: REXFET-1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH