RBE111N10R1SZN2#HB0 Renesas Electronics
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.48 EUR |
| 10+ | 1.56 EUR |
| 100+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| 3000+ | 0.69 EUR |
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Technische Details RBE111N10R1SZN2#HB0 Renesas Electronics
Description: RENESAS - RBE111N10R1SZN2#HB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0111 ohm, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: REXFET-1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RBE111N10R1SZN2#HB0
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RBE111N10R1SZN2#HB0 | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - RBE111N10R1SZN2#HB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0111 ohm, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: REXFET-1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |