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RCJ331N25TL

RCJ331N25TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263S
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1000+4.8 EUR
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Technische Details RCJ331N25TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RCJ331N25TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.105 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 211W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: TO-263S, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RCJ331N25TL nach Preis ab 2.92 EUR bis 9.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RCJ331N25TL RCJ331N25TL ROHM Semiconductor datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 250V 33A, Nch, TO-263S, Power MOSFET
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+5.28 EUR
100+4.02 EUR
500+3.44 EUR
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RCJ331N25TL RCJ331N25TL ROHM datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RCJ331N25TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.105 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.45 EUR
47+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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RCJ331N25TL RCJ331N25TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263S
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.09 EUR
10+8.15 EUR
100+6.68 EUR
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RCJ331N25TL RCJ331N25TL ROHM datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RCJ331N25TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.105 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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MOSFETs 250V 33A, Nch, TO-263S, Power MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
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RCJ331N25TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RCJ331N25TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.105 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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47+5.01 EUR
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RCJ331N25TL datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ331N25TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263S
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.09 EUR
10+8.15 EUR
100+6.68 EUR
500+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RCJ331N25TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.105 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH