RCJ331N25TL

RCJ331N25TL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
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Technische Details RCJ331N25TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RCJ331N25TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.165 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 211W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: TO-263S, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RCJ331N25TL RCJ331N25TL Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET RCJ331N25 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
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RCJ331N25TL RCJ331N25TL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
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RCJ331N25TL RCJ331N25TL Hersteller : ROHM rcj331n25tl-e.pdf Description: ROHM - RCJ331N25TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.165 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RCJ331N25TL RCJ331N25TL Hersteller : ROHM rcj331n25tl-e.pdf Description: ROHM - RCJ331N25TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.165 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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