RD100A OSI Optoelectronics, Inc.
Hersteller: OSI Optoelectronics, Inc.
Description: SENSOR PHOTODIODE 950NM 6NS
Packaging: Case
Wavelength: 950nm
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -20°C ~ 60°C
Response Time: 6ns
Sensor Type: Photodiode
Responsivity @ nm: 0.6 A/W @ 900nm
Active Area: 100mm²
Current - Dark (Typ): 2nA
Part Status: Active
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 330.18 EUR |
| 10+ | 286.5 EUR |
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Technische Details RD100A OSI Optoelectronics, Inc.
Description: SENSOR PHOTODIODE 950NM 6NS, Packaging: Case, Wavelength: 950nm, Output Type: Analog Voltage, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -20°C ~ 60°C, Response Time: 6ns, Sensor Type: Photodiode, Responsivity @ nm: 0.6 A/W @ 900nm, Active Area: 100mm², Current - Dark (Typ): 2nA, Part Status: Active.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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RD100A | Advanced Photonix |
Photodiodes 10x10 mm fully depleted, high energy radiation photodetector, low bias |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RD100A |
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Hersteller: Advanced Photonix
Photodiodes 10x10 mm fully depleted, high energy radiation photodetector, low bias
Photodiodes 10x10 mm fully depleted, high energy radiation photodetector, low bias
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH