RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor
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Technische Details RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 15, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 25, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote RD3G01BATTL1 nach Preis ab 0.74 EUR bis 1.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RD3G01BATTL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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RD3G01BATTL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V |
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RD3G01BATTL1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -40V -15A Power MOSFET |
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RD3G01BATTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 15 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 25 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 25 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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RD3G01BATTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 15 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 25 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 25 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 4505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RD3G01BATTL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V |
auf Bestellung 1525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3G01BATTL1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -15A; Idm: -30A; 25W Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -40V Drain current: -15A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| RD3G01BATTL1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -15A; Idm: -30A; 25W Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -40V Drain current: -15A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
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