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RD3G03BBGTL1

RD3G03BBGTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3G03BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V
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Technische Details RD3G03BBGTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RD3G03BBGTL1 nach Preis ab 1.32 EUR bis 4.9 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RD3G03BBGTL1 RD3G03BBGTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3G03BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 35A(Id), (4.5V Drive)
auf Bestellung 4898 Stücke:
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1+3.8 EUR
10+2.51 EUR
100+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.34 EUR
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RD3G03BBGTL1 RD3G03BBGTL1 ROHM rd3g03bbgtl1-e.pdf Description: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 65 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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RD3G03BBGTL1 RD3G03BBGTL1 ROHM rd3g03bbgtl1-e.pdf Description: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Description: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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RD3G03BBGTL1
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Description: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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