RD3G07BATTL1 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2500+ | 1.67 EUR |
| 5000+ | 1.61 EUR |
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Technische Details RD3G07BATTL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 101W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RD3G07BATTL1 nach Preis ab 1.21 EUR bis 3.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RD3G07BATTL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RD3G07BATTL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RD3G07BATTL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V |
auf Bestellung 9253 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RD3G07BATTL1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -40V -70A Power MOSFET |
auf Bestellung 25517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RD3G07BATTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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RD3G07BATTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 101W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2083 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3G07BATTL1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -140A; 101W Power dissipation: 101W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 105nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -140A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -40V Drain current: -70A On-state resistance: 8.7mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| RD3G07BATTL1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -140A; 101W Power dissipation: 101W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 105nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -140A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -40V Drain current: -70A On-state resistance: 8.7mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
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