RD3G07BBGTL1 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs RD3G07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.
MOSFETs RD3G07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 5.86 EUR |
| 10+ | 4.1 EUR |
| 100+ | 2.87 EUR |
| 500+ | 2.36 EUR |
| 1000+ | 2.18 EUR |
| 2500+ | 2.15 EUR |
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Technische Details RD3G07BBGTL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RD3G07BBGTL1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RD3G07BBGTL1 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: To Be Advised |
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RD3G07BBGTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: To Be Advised |
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