RD3G08BBJHRBTL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.93 EUR |
| 10+ | 4.09 EUR |
| 100+ | 3.12 EUR |
| 500+ | 2.82 EUR |
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Technische Details RD3G08BBJHRBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RD3G08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RD3G08BBJHRBTL nach Preis ab 2.12 EUR bis 7.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RD3G08BBJHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RD3G08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3G08BBJHRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3G08BBJHRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3G08BBJHRBTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3G08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RD3G08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 34+ | 7.47 EUR |
| 52+ | 4.52 EUR |
| 100+ | 2.92 EUR |
| RD3G08BBJHRBTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 4.06 EUR |
| 52+ | 3.32 EUR |
| 100+ | 2.74 EUR |
| 500+ | 2.42 EUR |
| 1000+ | 2.12 EUR |
| RD3G08BBJHRBTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 4.55 EUR |