RD3H160SPFRATL Rohm Semiconductor
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Technische Details RD3H160SPFRATL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RD3H160SPFRATL nach Preis ab 1.11 EUR bis 2.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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RD3H160SPFRATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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RD3H160SPFRATL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -45V Vdss -16A TO-252(DPAK); TO-252 |
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RD3H160SPFRATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V |
auf Bestellung 3691 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RD3H160SPFRATL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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RD3H160SPFRATL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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| RD3H160SPFRATL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -16A; Idm: -32A; 20W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 20W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -32A Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -45V Drain current: -16A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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RD3H160SPFRATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V |
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| RD3H160SPFRATL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -16A; Idm: -32A; 20W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 20W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -32A Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -45V Drain current: -16A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
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