Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3L01BATTL1
RD3L01BATTL1

RD3L01BATTL1 Rohm Semiconductor


rd3l01battl1-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
166+0.90 EUR
250+0.83 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RD3L01BATTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 26W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RD3L01BATTL1 nach Preis ab 0.58 EUR bis 2.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RD3L01BATTL1 RD3L01BATTL1 Hersteller : Rohm Semiconductor rd3l01battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
166+0.90 EUR
250+0.83 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L01BATTL1 RD3L01BATTL1 Hersteller : Rohm Semiconductor rd3l01battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
92+1.62 EUR
108+1.32 EUR
161+0.85 EUR
200+0.78 EUR
500+0.70 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L01BATTL1 RD3L01BATTL1 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -60V -10A Power MOSFET
auf Bestellung 30906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.32 EUR
10+1.52 EUR
100+1.08 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L01BATTL1 RD3L01BATTL1 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
auf Bestellung 1811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.46 EUR
11+1.60 EUR
100+1.15 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L01BATTL1 RD3L01BATTL1 Hersteller : ROHM datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L01BATTL1 RD3L01BATTL1 Hersteller : ROHM datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L01BATTL1 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RD3L01BATTL1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L01BATTL1 RD3L01BATTL1 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH