RD3L03BBJHRBTL ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.81 EUR |
| 125+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| 1000+ | 1.23 EUR |
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Technische Details RD3L03BBJHRBTL ROHM
Description: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote RD3L03BBJHRBTL nach Preis ab 0.9 EUR bis 4.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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RD3L03BBJHRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -60V -29A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
auf Bestellung 2105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RD3L03BBJHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L03BBJHRBTL |
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -60V -29A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
MOSFETs Pch -60V -29A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.56 EUR |
| 10+ | 2.26 EUR |
| 100+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| 2500+ | 0.92 EUR |
| 5000+ | 0.9 EUR |
| RD3L03BBJHRBTL |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 53+ | 4.72 EUR |
| 83+ | 2.81 EUR |
| 125+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| 1000+ | 1.23 EUR |