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RD3L050SNTL1

RD3L050SNTL1 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
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Technische Details RD3L050SNTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3L050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.109 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm.

Weitere Produktangebote RD3L050SNTL1 nach Preis ab 0.98 EUR bis 4.47 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RD3L050SNTL1 RD3L050SNTL1 ROHM datasheet?p=RD3L050SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3L050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.109 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 5A
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isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
auf Bestellung 2875 Stücke:
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6+3.61 EUR
10+2.28 EUR
50+1.71 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
auf Bestellung 2875 Stücke:
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56+4.47 EUR
116+2.01 EUR
145+1.49 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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RD3L050SNTL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3L050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.109 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3L050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.109 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2875 Stücke:
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