| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.82 EUR |
| 10+ | 2.9 EUR |
| 100+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.66 EUR |
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Technische Details RD3L07BATTL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 101W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RD3L07BATTL1 nach Preis ab 1.71 EUR bis 5.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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RD3L07BATTL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V |
auf Bestellung 1822 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RD3L07BATTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RD3L07BATTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 101W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RD3L07BATTL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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| RD3L07BATTL1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -70A; Idm: -140A; 101W Case: DPAK; TO252 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -140A Drain current: -70A Drain-source voltage: -60V Gate charge: 105nC On-state resistance: 14.1mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 101W |
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